De rol van vermogens-MOSFET-apparaten

AmandlaI-MOSFET is een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" yi de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal material, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent that het en grote werkende stroom stroom, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau of the underverdeeld in verbeterde stroom type en lichtgenen oververdeeld kuhlobo N-kanaal en P-kanaal uhlobo.

Amandla MOSFET igama phezu het algemeen gebruikt voor schakalende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenI-MOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; I-RDS(ON) ilungile kwi-apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Definieert Data Guide definieert RDS(ON) in relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) is een relatieve statische gegevensparameter voor voldoende gate drive.

Enye into eyenziwe yi-MOSFET ukwenza oko kufunwayo kuhlangatyezwana neenkalo ezithile ezicacileyo e-Kosten, kunyanzelekile ukuba kwenziwe oko. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakakelende voeding vaak meerdere ORingI-MOSFET's parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Kwi-veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's kuthotho schakalen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), kulo mba uqhuba ukhetho lwe-MOSFET, nceda ujonge iiparamitha ze-MOSFET ezizezona zibalulekileyo okanye uvotele iiparamitha. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Ngokucacileyo ingcaciso ye-SOA yokuvalelwa kwenkqubo ye-MOSFET iyasebenza.

Kwiintlobo ezingasentla zeemeko zomthwalo, emva kokuqikelela (okanye ukulinganisa) umbane omkhulu wokusebenza, kwaye emva koko ushiye umda we-20% ukuya kwi-30%, unokucacisa ixabiso elifunekayo le-VDS yangoku ye-MOSFET. Apha kufuneka kuthethwe ukuba, ukwenzela ukuba ixabiso elinamandla ngakumbi kunye neempawu ezigudileyo, unokukhethwa kuthotho lwangoku lweediode zangoku kunye nee-inductors ekuvaleni ukubunjwa kwe-loop yolawulo lwangoku, ukukhulula amandla e-kinetic akhoyo ngoku inductive ukugcina I-MOSFET. ireyithingi yangoku icacile, yangoku inokuchazwa. Kodwa apha kufuneka kuthathelwe ingqalelo iiparamitha ezimbini: enye lixabiso langoku ekusebenzeni okuqhubekayo kunye nexabiso eliphezulu le-spike enye ye-pulse yangoku (i-Spike kunye ne-Surge), ezi parameters zimbini ukugqiba ukuba kufuneka ukhethe kangakanani ixabiso elilinganisiweyo ixabiso langoku.